Temp  [°C]	ro  [Ом/м]	
Tok  [мA]	R  [Om]	
B  [T]	n(p)  [1/m^3]	

U  [В]	Rx  [м^3/Кл]	
EDS  [мВ]	EDS H  [В]	

Образец	Образец 1	
Длина, мм	1	
Ширина, мм	1	
Толщина, мм	0,3	

Temp	Tok	B	U	EDS	ro	R	n(p)	Rx	EDS H	
22,69	0,9912	0,04008	1,714	4,932	0,5188	1,729	-1,453E17	-43,03	-1,709	
28,72	0,9914	0,01208	1,787	1,826	0,5407	1,802	-4,194E16	-149	-1,785	
23,08	0,9919	0,03066	1,722	3,882	0,5209	1,736	-1,106E17	-56,5	-1,718	
22,24	0,9926	0,04954	1,71	5,84	0,5169	1,723	-1,803E17	-34,66	-1,704	
21,85	0,9932	0,05891	1,707	6,872	0,5156	1,719	-2,151E17	-29,06	-1,7	
19,49	0,995	0,0006237	1,681	0,396	0,5069	1,69	-2,308E15	-2709	-1,681	
23,7	0,9954	0,02134	1,729	3,044	0,5211	1,737	-7,691E16	-81,27	-1,726	

Eg = –2*k/q*tg(угла наклона) = -0,0005245 эВ

Eg = –2*k/q*tg(угла наклона) = -0,03264 эВ
Eg = –2*k/q*tg(угла наклона) = -0,0005245 эВ

Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им.Н.Э.БАУМАНА

Факультет РЛ
      Кафедра РЛ6     .
Отчет
по лабораторной работе
Исследование свойств носителей заряда в полупроводниках

Выполнил студент гр. 02-ЕЮ2
Иванов С.С.
Проверил преподаватель
Сидоров П.П.